傑出事蹟 |
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卓越貢獻或傑出事蹟：
- 發表成功開發的ONO介電材料於1982 IEDM，此材料廣泛使用於半導體製造。
- 發明Flash記憶體技術和架構(4,868,619,4,698,787)，發表於1985 IEDM。此項技術使用於Intel，AMD等公司是Flash記憶體的基本專利。
- 發明Interpoly oxide-nitride-oxide技術(4,769,340)，此項技術廣泛使用於半導體記憶體。
- 使用CMOS成功開發全球最高速EEPROM(取代Bipolar PROM)，發表於1984 ISSCC是Electronics雜誌封面故事。
- 成功將國內開發的DRAM技術轉移至韓國現代和金星，是我國首次DRAM技術成功授權給韓國。
- 負責並成功於新竹建造晶圓生產工廠，工廠極快進入量產，累積足夠利潤和德國Siemens成立合資企業(ProMOS)。
- 多次舉辦國際會議並擔任Semicon技術論壇Chairman。主辦全國EMBA高球賽，於清大自強工業/清大工工系/清大科管院/教育部技職老師研習班講授半導體和管理課程。多次於臺大，清大，彰師大，聯合大學，中原大學專題演講。
- 曾任多家美國及臺灣新創或上市公司董事長，董事或監察人，目前是世界先進全球業務及規劃副總經理，也是VIS
Micro總經理和八家科技公司董事。現在擔任清華EMBA校友會會長並且是清華科管院的兼任老師。（現任Specialty
TechFarm，巨有，SkyTraq，Layer Walker, InnoTech，Linear Artwork，3D Semi，Great
Wall Semi等公司董事，曾任聯茂Landmark創投董事長兼總經理，茂德監察人，南茂董事，敦茂監察人，茂矽董事，捷泰董事，普揚董事長。）
- 發表60餘篇半導體技術和管理論文並有20多項美國專利；是斐陶斐會員。
- 經歷：
- 2003~迄今 服務於世界先進（原為工研院次微米實驗室）。任全球業務和規劃副總，成功推動技術藍圖，導入合作夥伴客戶，該公司是全球晶圓代工業過去六年ROE第二名，營收全球前五名。
- 1988~2003 服務於茂矽，任技術發展協理，晶圓廠營運副總，技術移轉副總，公司發言人，聯茂創投董事長兼總經理。
- 成功將CMOS DRAM移轉到日本NMBS，韓國現代及金星(現為LG)。負責將日本OKI
DRAM技術於新竹ramp
up。投資約十家IC設計公司並協助多家IC設計公司成功力個於美國或臺灣上市。成功和Siemens談判並成立JV(ProMOS)，是我國首次和德國
成立JV半導體公司。
- 1986~1988 服務於Microchip(Arizona州)任製程發展經理。成功開發全球最高速的64K/256K CMOS EEPROM，並將EEPROM整合入DSP(和德州儀器共同開發)。另外，所領導團隊將EPROM技術成功移轉到韓國現代(代工)。
- 1983~1986 服務於Rohm(加州)為技術發展經理，開發成功全球最高速CMOS
EEPROM(本人present於ISSCC)，該項技術獲Electronics雜誌選為封面故事。另外，本人領導之團隊成功開發Single
Transistor Flash Memory和NOR Flash
Architecture。此項技術使用於Intel和AMD，是Flash記憶體最基本也是首次可以商品化的專利。團隊成功將CMOS
EEPROM技術移轉到日本OKI和法國SGS-Thomson(STM)。
- 1980~1983 服務於Intel(加州)為高級工程師，負責非揮發性技術研發，成功開發ONO介電材料(本人present於1982年IEDM)，該技術廣泛使用於半導體生產。
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